东芝（Toshiba）曾在FMS 2018闪存峰会上宣布了一种采用3D立体封装、延迟超低的SLC闪存产品“XL-Flash”，但是并没有透露更多细节。如今，FMS 2019开幕在即，东芝正式发布了XL-Flash，并透露了不少信息，还会在峰会上公布更多架构和技术特点。
XL-Flash闪存每个Die裸片的容量为128Gb(16GB)，虽然容量密度不是很大，但分成了多达16层，并行程度要比现在追求大容量的3D NAND闪存高得多，而且页面尺寸仅为4KB，远小于3D NAND，读写效率更高。性能方面，东芝称XL-Flash属于SLC存储类型，读写延迟不会超过5微秒，相比现在3D TLC闪存的50微秒左右提升了足有10倍。从特性看起来，该产品将对标英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND，差别在于东芝XL-Flash会向行业开放，已经有多家SSD主控厂商开始准备在下一代产品中进行支持。
XL-Flash是介于DRAM和NAND闪存之间的产品，与传统的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延迟和更高的存储容量。XL-Flash最初将以SSD产品为部署，但未来也将扩展到DRAM产品线上，例如未来行业标准的非易失性双列直插内存模块（NVDIMM）。
东芝XL-Flash闪存将在9月试产出样，明年投入大规模量产。
主要特点：
128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封装）
4KB Page大小，高效的操作系统的读写
16-plane更高效的并行架构
快速的读取页面和编程时间，XL-Flash提供小于5微秒的低读取延迟，比现有TLC快10倍
东芝存储器子公司（Toshiba Memory America，Inc.）存储业务部高级副总裁兼总经理Scott Nelson表示：借助XL-Flash技术，正在为超分频器和企业服务器/存储商提供一种更具成本效益、更低延迟的存储解决方案，弥补DRAM和NAND性能之间的差距。我们还为新兴技术和行业标准打开了大门，这些技术和行业标准将为低延迟存储解决方案提供不同的规格形态（form factors）。东芝的XL-Flash将在成本、性能方面优于竞争对手，提供优质的解决方案。”
